優質氮化鎵外延片供應商 —— 擁有MOCVD外延生長設備5臺，可直接提供2~8英寸微波射頻/電力電子應用GaN外延材料，年產能GaN外延片3000片。 |
 | 硅基氮化鎵外延片 GaN-on-silicon 4-8inch 硅基氮化鎵外延片，可滿足電力電子級射頻功率器件應用 |
 | 多種襯底氮化鎵外延片 Multiple substrate Gan epitaxial wafers 碳化硅、藍寶石、氮化鎵等多種類型襯底的氮化鎵外延片 |
 | GaN電力電子器件 GaN power electronic devices 650V~1200V，10A-40A氮化鎵電力電子器件。 |
實力雄厚的氮化鎵制造專家
安徽進步半導體科技有限公司
以西安電子科技大學蕪湖研究院現有人才、技術、研發平臺為基礎，結合郝院士團隊在氮化鎵領域的業務布局和發展需求，成立安徽進步半導體科技有限公司。以氮化鎵材料、器件研發和應用為主營業務，開展氮化鎵外延片、氮化鎵功率器件研發制造與銷售、軟件開發、技術服務、技術支持、技術轉讓、技術支持、技術推廣等業務，注冊于蕪湖高新區，注冊資金1000萬元。
產品的穩定，
才對得起客戶的信賴
多年氮化鎵研究制造經驗-西電蕪研院子公司
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質量穩定，性能突出
外延材料技術優秀
關鍵指標優秀
核心技術，提升價值
擁有多項核心技術獲多項授權專利，并發表多項公開論文及高水平專著
全面評估，歷經測試
依托西安電子科技大學蕪湖研究院，建設氮化鎵功率器件可靠性測試平臺，具備氮化鎵外延片及功率器件全參數的測量機極端環境可靠性評估能力。
自行研發，更新迭代
整合培訓技術團隊，通過對氮化鎵外延片結構的設計、制造、更新迭代，完成應用于工業級的氮化鎵產品的設計、研制、性能調試和定型。
高質量功率/射頻硅基氮化鎵外延片4~8英寸
氮化鎵同質襯底外延片
藍寶石襯底氮化鎵外延片
碳化硅襯底氮化鎵外延片
GaN電力電子器件
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